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大尺寸单层MoSe2的生长及其光电性质研究摘要:主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。
以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。
利用原子力显微镜(AFM)、 X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。
分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化钼.纳米颗粒构成，且这些纳米颗粒具有很强的垂直生长的取向。
另外，还发现该硒化钼薄膜对可见光有很强的吸收和良好的光电特性，表明硒化钼薄膜在光电器件领域具有很大的应用潜力。
关键词:硒化钼(MoSe,); 化学气相沉积(CVD); 表面形貌;光吸收;光电特性 前言：近年来，由于石墨烯及过渡金属硫化物构成的二维纳米材料具有良好的电学和光学特性，引起了研究人员对二维材料广泛的研究兴趣。
硒化钼(MoSe2)具有类似于三明治的层状结构，层与层之间通过微弱的范德华力松散地结合在一起，相邻分子层可以相互滑动，具有较低的摩擦系数，因而可用于高温高压润滑剂。
另外，MoSe2中每个钼原子被6个硒原子包围，Mo-Se棱面多、比表面积大、具有较高的表面活性以及优异的催化剂。
由于具有较大层间距，硒化钼层间很容易插入-些杂质离子(如Li和Na* )，形成插层化合物，所以硒化钥在材料改性、制备新型功能材料方向具有极大的应用和发展潜力5。
近年来，人们利用机械剥离法将硒化钼剥离为单层时，发现其间接禁带可以转化为直接禁带，带隙宽度正好介于宽带隙半导体与石墨烯的零带隙之间，发光效率明显提高，可用于制备高效率的光电探测器；同时也有利于提高半导体器件的集成度，在光电器件领域具有较大的应用潜质。
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