毕业论文课题相关文献综述
1.前言自从块体石墨成功剥离石墨烯[1]以来，原子厚度的二维(2D)材料，例如石墨烯本身，过渡金属硫族化合物(TMD)和磷烯，因其非凡的性能而备受关注，并且在传感、能量存储、催化等方面有卓越的应用[2-7]。
所有的这些二维材料都具有可以相互补充或独特的电学和光电特性。
然而，石墨烯及其同类第IV族二维材料硅烯和锗烯，没有本征带隙，作为晶体管开关比往往很低，作为光电探测器件暗电流大。
与第IV族单质二维材料不同的是，第V族二维材料黑磷，具有较宽的可调直接带隙，同时兼具较高的载流子迁移率，除此之外，黑磷另一个最大的特点是具有平面各向异性。
然而，黑磷在空气中稳定性欠佳，限制了其进一步应用。
因此，寻找一种新的兼具第IV族和第V族单质二维材料优点（高迁移率、可调带隙、平面各向异性和较好稳定性）的新型二维材料，成为一项重要挑战。
二元IVV化合物，例如SiP，SiAs，GeP和GeAs系统，目前已经成为另一类潜在的2D材料[8-10]。
而磷化锗(GeP) 2D半导体则是最近加入二维家族的材料。
有预测认为单层GeP具有出色的各向异性传输特性[11]。
与石墨烯，MoS2和磷烯类似，单层GeP也可以通过计算出的剥离能来从其块体中剥离出来[12-15]。
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