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文 献 综 述1.交错光栅1.1交错光栅研究背景近年来，光子集成回路（PICs）在下一代光通信和传感领域的潜力，引起了人们极大的兴趣[1]。
各种模式/偏振分复用技术（MDM/PDM）已经开发出来，以进一步提高片上传输容量[2]，为光通信和传感系统中的大规模光子集成提供了巨大的潜力[3]。
与传统器件相比，硅基光子集成回路具有可靠性好、低功耗、器件小型化等优势，同时由于能够同CMOS工艺兼容，硅基PIC在降低成本、实现大规模光电集成等方面具有极大的潜力，逐渐成为突破传统器件瓶颈的主要解决方案之一。
在过去的十年中，许多基于SOI波导的布拉格光栅滤波器，如窄带传输滤波器和反方向、加降滤波器已经通过条形和脊形波导实现。
然而，这些器件具有高度的偏振依赖性，因此通常设计仅适用于横向电场（TE）模式或仅适用于横向磁场（TM）模式的器件。
近年来，片上模式转换得到了广泛的研究。
其中一种有效的方法是基于有效折射率周期性调制的波导光栅结构[4]，如长周期光栅（又称透射光栅）和布拉格光栅（又称反射光栅）。
在这些结构中，由于折射率的调制，根据耦合模式理论，在满足相位匹配条件下，不同的模式相互耦合[5]。
1.2交错光栅原理交错光栅是一种典型的二维光栅，在沿光传播方向上，两列光栅在横向上存在π相位差。
与一维光栅相比，交错光栅不仅能满足相位匹配条件，而且可以调整不同模式之间的耦合效率。
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