原位生成SiO2结合SiC多孔陶瓷的制备及其性能文献综述

 2021-10-24 15:49:16

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文 献 综 述 1. 研究背景随着社会的发展,环境问题愈发受到重视,因此在气体过滤、水质净化、吸附催化等领域中,各种性能优良的多孔陶瓷被广泛的运用。

多孔SiC陶瓷(porous SiC ceramics , PSCs)是一种结构型SiC陶瓷,具有高温强度大、热膨胀系数小、良好的抗热震和抗氧化性能好等[1-3]特点,在电磁屏蔽材料、电容器、电极材料、催化载体、高温气体过滤和柴油机尾气净化等领域[4-7] 得到了广泛应用。

SiC陶瓷的有着独特而密切的结构。

SiC中的Si和C之间存在着强烈的共价键作用,其离子性仅有12%,因此,SiC陶瓷的强度高、弹性模量大,耐磨损性能好。

SiC具有α和β两种晶型。

β-SiC的晶体结构为立方晶系,Si和C分别组成面心立方晶格;α-SiC存在4H、15R和6H等100多余种型体。

2. 多孔SiC陶瓷的制备工艺经过多年的发展,多孔SiC陶瓷的制备工艺已经日渐成熟,并且种类繁多,按孔结构以及形成机理,分为四种制备方法:颗粒堆积法、模板复制法、牺牲模板法和直接发泡法。

如图2-1所示。

图 2-1 多孔 SiC 陶瓷的制备路径图解:(a) 颗粒堆积法;(b) 模板复制法; (c) 牺牲模板法;(d) 直接发泡法 2.1 颗粒堆积法造孔最简单的方式就是依靠颗粒的堆积构成孔结构。

如图2-1(a),陶瓷的粉体颗粒受到外力或者其他作用,聚合在一起,但颗粒之间有着位阻作用,导致颗粒之间会留有空间,形成我们所需的孔结构。

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