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氧化铟锡(Indium -tin Oxide ,ITO )薄膜具有电阻率低和可见光波段透过率高的特性,广泛应用于光伏、显示等多个领域。
近年来,随着移动终端和触控技术的迅猛发展,ITO膜的应用得到进一步的推广。
然而1TO薄膜中用到的稀缺元素铟(ln )。
价格昂贵且有毒,增加了导电薄膜的制备成本。
因此减少或避免1n元素的使用成为透明导电薄膜发展的必然趋势。
目前主要通过寻求ITO 薄膜的替代品来避免In元素的使用。
其中,高分子薄膜、金属纳米线薄膜材料的光电性能良好,且本身柔初性较好,成为下一代透明导电薄膜的研究热点,但目前还不能实现较大尺寸及面积的应用。
所以制备出光电特性优异且柔韧性好、能大面积应用的透明导电薄膜成为新的研究方向。
其中银纳米线是最有希望代替ITO作为下一代的新型透明导电材料，由于银纳米线与衬底表面的粘附性较弱且不能形成高表面平整的薄膜，传统用于加强银纳米线与衬底之间粘附的方法工艺复杂无法得到大规模利用，需要找到一种同时可以解决银纳米线与衬底表面粘附与得到平整电极表面的问题。
如今一种新型复合透明导电薄膜有望解决上述问题，那就是ITO/银纳米线复合薄膜，相比于IAI结构的复合导电薄膜，其In用量更少，有利于降低成本，并且光电特性及耐弯折特性优异，有望在未来成为主流的导电材料。
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