掺杂CuInSe2材料的第一性原理计算研究文献综述

 2021-10-25 21:29:09

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一 CuInSe2黄铜矿型材料研究价值及问题黄铜矿化合物及其固溶体由于其潜在的技术应用而备受关注,例如在光伏太阳能电池,非线性光学器件,热电材料等领域。

CuInSe2具有各项优异的性能。

CuInSe2薄膜通常具有非常高的光吸收系数(105cm-1),这是现有太阳能电池材料中最高的光吸收系数。

正是由于CIS单晶可以覆盖宽的光谱,CuInSe2薄膜单晶可以被用作诸如LED光电子设备。

最近几年,由于铜基硫属化合物纳米材料特有的性质,以及在光电领域广泛应用,越来越多的科研工作者们开始重视多元I-III-VI2(I=Cu,Ag; III=Al, Ga, In; VI=S,Se, Te)族的热电材料在热电领域的应用。

目前报到了通过水热法和固相法合成多元 I-III-VI2族的热电材料有望同时应用于热电和光电领域。

Jinlei Yao[1]等人报道了用 Mn 掺杂 CuInSe2来提高基体的电导率和 Seebeck 系数,增加声子散射降低热导,从而提高热电性能。

制备的 CuIn0.95Mn0.05Se2 热电性能最优,ZT 值达到 0.016。

铜铟硒材料因它是窄带隙型半导体,具有比传统材料更好的性能:可以通过调控带隙进而改变晶体的尺寸大小;可以通过对基体进行各方面调控,进而优化其内部结构和性能[2]。

CuInSe2薄膜结构由共价键和金属键混合而成,CuInSe2薄膜的电学性能主要取决于薄膜中的Cu和In的元素成分比例,决定了薄膜的电学性能。

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