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文 献 综 述H相和T相MoTe2单晶的CVT生长有半导体性质的过渡金属双硫属化合物MX2（M是过渡金属，X是硫族元素：O，S，Se，Te）（TMDs）[1]因为诸多原因在光学工程[2-6]领域引起了极大的关注。
其中的大多数一般都具有平衡的载流子迁移率[6-9]来支持电子和空穴的传导,这是实现发光和光转换设备的基本性质。
他们的半导体带隙能够通过选择无数存在的化合物中的一个或通过量子尺寸在很大范围内调整[10-16]。
另外，使MX2层结合在一起的范德华键促进不同TMDs组合成异质结，这样提供了可观的实现光电器件的潜力。
MX2的独特性质来自于它的晶体结构，这种结构是由垂直堆叠的被范德华力链接的单层组成[17,18]。
每层是由在两层阴离子之间大量的6倍于环境的阳离子形成。
两个最重要的结构叫做1T结构（P-3m1 空间群，CdI2结构型）其中每一个过渡金属离子被6个阴离子八面体环绕和2H结构（P63/mmc 空间群，NbS2结构型）[17]。
MoTe2两种结构都能结晶。
大而高质量的金属硫化物的单晶生长是一个关节点，可能限制甚至抑制他们的应用。
这些晶体基本采用化学气相传输（CVT）的方法生长，因为他们的高熔点和他们相图知识的缺少，排除了使用任何包括液体状态的生长方法。
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