二维Bi2O2Se的生长制备与光电特性文献综述

 2021-10-26 21:52:12

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文 献 综 述1.引言自从2004年通过微机械剥离石墨成功获得石墨烯以来,由于他们独特而优异的电学、光学、磁性和机械性能[1],单层碳原子晶体,石墨烯具有很高的热导率(3000-5000 W m-1 K-1),达到98%的良好的光学透明性[2],以及高达1TPa的杨氏模量[3],与此同时,它能够承受超过25%的应变因此吸引了很多科研人员的注意。

除了石墨烯,金属硫族化合物、过渡金属氧化物和其他二维化合物等二维层状材料重新引起了人们的兴趣。

过渡金属二硫化物(TMDs)由金属原子(M)的六角形层组成,夹在两层硫原子(X)之间,这种物质用MX2化学式表示。

根据硫族元素(通常是S、Se或Te)和过渡金属(通常是Mo、W、Nb、Re、Ni或V)的组合,能组合成40多个不同的类别[4]。

这种层状结构材料的特点是它们的块状三维晶体是堆积的结构,它们层与层之间有范德瓦尔斯相互作用力,由很强的共价键连接。

这些材料跨越了从绝缘体到金属的整个电子结构范围,并显示出有趣的特性[5]。

其中包括拓扑绝缘体效应[6、7]、超导性[8]、和热电性[9]。

由于其独特的性能和高比表面积,这些二维材料在光电子学、自旋电子学、催化剂、化学和生物传感器、超级电容器、太阳能电池和锂离子电池等各种应用中都很重要。

虽然二维材料是一个大家族,但目前的研究主要集中在几种明星材料上,如石墨烯、[10]过渡金属二硫化物(MoS2, WS2)、[11]黑磷、[12]拓扑绝缘体(Bi2Se3, Bi2Te3) [13、14]。

有趣的是,它们之间的一个明显的结构相似性是在它们的所有同类中都存在一个范德瓦尔斯缺口。

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