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文献综述
基于小分子的有机发光器件（OLED）在近几年间取得了令人瞩目的发展，提高器件的发光效率就成了现阶段研究的重要方向，但过度复合、载流子迁移率低和激子扩散不足是阻碍这些器件研发的几大缺陷。
所以研究OLED缺陷态的分布就显得格外重要。
关于深能级缺陷态对有机电致发光器件性能的影响机制的相关研究做了以下调研。
一、关于缺陷态分布的检测和其相关的影响由电子传输层和空穴传输层组成的OLED器件的I-V特性主要由Alq3的传输特性决定。
Stel等人对这种I-V特性进行了研究。
他们认为，Al/LiF/Alq3/ITO器件中的电流密度仅受空间电荷的积累影响而不受电极中的载流子注入的限制。
在他们的研究中公布了接近无缺陷态的SCLC（空间电荷限制电流）情况下的二次相关的电流密度。
然而深入细致的研究他们的数据我们发现了一个指数约为5的双曲线依赖性，这表明无缺陷态SCLC传输的空间电荷区（如果存在的话）仅在最高利用电压下达到。
另一方面也表明存在广泛分布的电子陷阱。
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