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文献综述
文 献 综 述1.引言SiC多孔陶瓷是一种重要的结构功能材料。
其气孔率高，热导率低，体积密度小，比表面积大，还具有强度高，耐腐蚀，耐高温，热膨胀系数低，抗热震性和生物相容性好等特点。
这些优异的性能使得SiC多孔陶瓷在环保、能源化工、冶金、过滤分离、尾气处理以及生物医学等领域有着广阔的应用前景[1]。
所以，碳化硅多孔陶瓷是研磨材料、过滤器、催化剂载体、分离膜、隔音隔热材料、高温结构材料、窑具、热能转换和复合材料增强材料的理想选择。
[2]2. SiC多孔陶瓷的研究现状SiC多孔陶瓷由于有很强的Si-C共价键，其烧成温度在2100℃以上，会造成较大的能源消耗，同时也为工业化生产带来困难，因此，当前SiC多孔陶瓷的研究侧重于降低SiC陶瓷的烧结温度，主要有两种：1）添加烧结助剂；2）添加结合相，通过结合相的作用在相对较低的温度下制备SiC多孔复相陶瓷材料。
前者的优点是可降低其烧成温度，并制备出高强度的多孔材料，但缺点在于烧结温度相对较高，导致多孔陶瓷的气孔率较低、热导率高[3]。
通过结合相的原位生成也可在相对较低的温度下制备出SiC多孔陶瓷材料，并改善其热震稳定性、化学稳定性及强度等性能，同时降低其生产成本。
2.1. 添加烧结助剂SiC多孔陶瓷固相烧结温度一般较高(＞2100℃)，并且烧结制品断裂韧性普遍偏低，在一定程度上限制了SiC陶瓷的应用。
为解决该难题，通过引入适量单组分或多组分的烧结助剂，利用共晶反应形成一定数量的液相，以加快烧结。
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