应变对二维材料CrBr3电学和磁学性质的调控文献综述

 2021-12-30 20:57:28

全文总字数:6285字

文献综述

1.前言自石墨烯成功制备以来,二维材料基于低维度性和特殊的晶格结构有着丰富的物理性质,受到许多科学领域的广泛关注。

例如,石墨烯同时具有高透明、高导电、高弹性等性质[1,2];过渡金属硫族化物[3]和黑磷[4,5]对光的吸收涵盖了从可见光到近红外的所有波段;薄层Cr2Ge2Te6[6]和CrI3[7]具有铁磁和层间反铁磁的性质。

这些性质在自旋电子学、光电探测、存储技术、磁电效应甚至是量子计算领域都有着极大的应用潜力。

绝大多数的二维材料都是本征非磁性的,实验中已经合成的磁性二维材料包括三元金属合金、过渡金属三卤化物等。

例如,Y. Tian等人[8]在实验中合成的二维单层Cr2Ge2Te6薄膜,具有铁磁性,并探测到了自旋-声子间的强耦合效应。

B. Huang等人[7]在实验中合成了二维CrI3薄膜,并观测到了由层数引起的从单层CrI3铁磁性到双层CrI3反铁磁性的相变。

而CrBr3与CrI3层间耦合方式相同,是铁磁耦合,居里温度分别是37 K和61 K。

层数增加时,铁磁序在每一层内仍持续存在,但不同的层之间反铁磁耦合起着主导作用。

这种弱的层间耦合、面内内禀铁磁性及半导体特性为探索低维自旋电子学所需的新型二维磁性材料提供了很好的平台。

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