引言
多孔硅（porous Silicon）是对珪片表面进行化学刻蚀后形成的微纳米级硅原子簇结构骨架而构成的含有大量微纳米孔道的一种新型多功能硅基材料，它拥有非常大的比表面积、良好的生物兼容性以及在室温下可发射可见光和可调性的折射率等特点。1990年，Canham巧发现了多孔硅结构的光致发光现象。这种光致发光现象引起了国内外学术界极大的兴趣，从而使对于多孔硅的研究进入了一个崭新的阶段。现在，关于多孔珪的理论研巧主要集中在制备方法、微观结构、形成机理、发光机理、纯化处理等方面，在其应用研究方面主要集中在传感器、光电转换器件、储能材料、光催化和超级电容器等领域。光伏产业在新能源发展规划中占有重要地位，目前多孔硅太阳能电池已经成为太阳能电池市场主流。硅片表面绒面的质量对太阳能电池转换效率有重要影响，多孔硅表面制绒技术也越来越受到世界各国的重视。目前国际市场上98%以上的光伏电池均为多孔硅太阳能电池。因此，对多孔硅的研究也变得十分重要。
1、多孔硅的制备
目前，有多种制备多孔硅的方法，常见的有电化学阳极刻烛法、光化学刻
烛法、化学刻蚀法、水热刻烛法、金属辅助刻蚀法等。上各种方法各有各的优缺点，所得到的多孔娃形貌结构也各有特色。
1）电化学刻蚀法
电化学阳极刻蚀法是在以氧氟酸为主的电解液中，将铂或石墨作为阴极，将单晶珪作为阳极，对闭环电路加适当的恒稳电流，氨氟酸溶液就对硅片进行了刻蚀，可在单晶珪表面生成一层多孔娃结构。在刻蚀液中加入乙醇有利于氢气的溢出，氨氟酸和硅片的接触以及多孔珪结构的均匀性。
2）光化学刻蚀法
光化学刻蚀法是在光的催化作用下，浸泡在氨氟酸和乙醇溶液中的硅可以与氨氟酸发生刻蚀反应，在硅片表面形成一层多孔珪结构。在没有光照的的情况下，单纯的氨氟酸对硅的刻蚀缓慢，光照能够使硅体中产生非平衡载流子即反应所需的空穴，加快了硅片表面的刻蚀速度。
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