文献综述
本课题的现状及发展趋势：
本课题是基于LPCVD的SiO2薄膜淀积，SiO2薄膜在集成电路中的的用途很多，比如：扩散、离子注入的掩埋层；器件表面保护钝化层；MOS器件中的组成部分栅介质；电容介质；器件隔离用的绝缘层；多层布线间的绝缘层等等。生产时用的是TEOS源作为反应物，其化学反应所需的温度较低，一般为680-700℃，相对简单一点。用TEOS法分解具有温度低、均匀性好、台阶覆盖率优良和膜质量好等特点，现已成为淀积二氧化硅的主要方式。低压化学气相淀积有着热氧化所不具备的优势，它的影响因素可以控制，在致密后其均匀性能与热氧化基本相同，所以在未来的发展前景中低压化学气相淀积法将成为主流。
本课题的价值：
本课题对CVD法应用于SiO2薄膜淀积进行了实验研究，与热氧化法淀积方式进行对比，从而寻找出如今半导体工艺制造在薄膜淀积方面的最佳工艺方法。研究的意义在于对低压CVD设备淀积薄膜进行了详细研究；通过改变温度、压力与气体流量参数对比试验，得出CVD法淀积薄膜具备良好的均匀性及台阶覆盖，是热氧化法所不具备的优点；探索淀积的工艺条件改变对薄膜致密性的影响，从而在薄膜的淀积方式做出正确选择。
参考文献：
[1] 施敏, 半导体器件物理与工艺[M].江苏: 苏州大学出版社, 2002,323-387.
[2] MichaelQ,Julian S.半导体制造技术[M]. 北京: 电子工业出版社, 2004, 210-271.
[3] 刘恩科, 朱秉升, 罗晋生, 半导体物理学[M]. 北京: 电子工业出版社, 2003, 6-9.
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