毕业论文课题相关文献综述
文 献 综 述1. 前言随着现代通信及计算技术的高速发展，人们对电磁学器件的要求越来越高。
而电磁学器件的发展很大程度上依赖于工艺与材料的突破，其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究。
这些需求已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。
为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电磁学器件，对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题。
而Fe3GeTe2(FGT)作为二维层状铁磁金属化合物，它也可被认为是厚度超薄的薄膜。
因其具有更接近室温的居里温度，并且是在Fe-Ge-Te系统中具有铁磁磁序的罕见例子，因此成为目前研究的热点。
1988和1995年巨磁电阻效应(GMR)和室温穿隧磁电阻效应(TMR)相继发现后，巨磁电阻和穿隧磁电阻材料遂成为磁学、磁电子学、磁记录材料、磁异质结构材料等领域的研究热门重点[1]。
产生巨磁电阻效应(GMR)的磁性多层膜的最简单的结构为铁磁性膜/非磁性金属膜/铁磁性膜，称作三明治结构；产生穿隧磁电阻效应(TMR)的磁隧道结的最简单结构为铁磁性膜/绝缘膜/铁磁性膜[2]。
当上下两个铁磁性膜的磁矩分别处于平行或反平行状态，且有电流通过磁性多层膜或磁隧道结时，它们就分别表现出低的和高的电阻态，这种低和高电阻态可对应于0和1两种数据记录状态。
因此GMR和TMR新材料及其磁敏感器件可应用于磁读取头和磁随机内存(MRAM)等领域，能把磁记录密度提高到100Gits/in2水平。
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