毕业论文课题相关文献综述
文 献 综 述引言：自2004年安德烈盖姆（Andre Geim）和克斯特亚诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）发现石墨烯以来[1]，二维材料成为人们研究的热点。
单原子层的二维结构赋予了石墨烯许多独特的性质，如室温下非常高的载流子迁移率（约10000cm2v-1s-1）[1]、优异的透光性[2]、极高的杨氏模量（约1TPa）[3]、良好的导热性（约5000Wm-1K-1）[4]等。
这些独特的性质使其在电学器件、能量存储、超级电容、光学器件[5-8]等方面有着广阔的应用前景。
然而石墨烯缺乏天然的光学带隙，这限制了其在逻辑电路中的应用。
过渡族金属硫属化合物可以用MX2表示如（MoS2, TaS2, MoSe2, WSe2），M代表过渡族金属（Mo,W，Nb，Ta等），X代表硫族元素（如S，Se）等。
这些过渡金属硫化物不仅兼具石墨烯优异的电学性能、机械性能等，还具有石墨烯所不具有的光学带隙，因此成为近些年研究的热点，其中，对二硫化钼MoS2的研究最多。
二硫化钼有着悠久的研究历史与应用历史，以其独特的三明治层状结构在润滑、催化、电学器件、传感[9-11]等领域应用广泛。
此外，从块体二硫化钼到单层二硫化钼会发生由间接带隙变为直接带隙的能带转变，使得MoS2在光电子领域有着光明的前景[12]。
二硫化钼的晶体结构：二硫化钼是六方晶系的层状化合物，层与层之间以微弱的范德华力结合。
单层二硫化钼是三明治结构，由三层原子组成，中间一层为钼原子，上下两层为硫原子。
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