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文 献 综 述1. 引言太阳能电池是利用光伏效应将太阳能转换为电能的一种半导体器件。
所谓的光伏效应就是在内置电场的作用下，由光生少数载流子与多数载流子相互分离所产生的。
光伏效应在某些特定的材料中十分普遍，例如硅（Si）、锗（Ge）以及一些Ⅲ-Ⅴ族化合物。
大多数的太阳能电池是由硅制成的。
从上世纪五十年代以来，晶体硅就始终是光伏能源市场上最为重要的材料之一。
随着太阳能电池生产过程中使用的材料质量以及流程工艺的改进提升，晶硅太阳能电池结构也愈发多样化。
当前，广泛研究的高效n型晶硅太阳能电池结构包括钝化发射极和后部全扩散（n-PERT）电池、钝化发射极和后部局部扩散（n-PERl）电池、异质结（n-HJT）电池和交叉背接触（n-IBC）电池[1]。
目前，晶硅太阳能电池技术在全球的光伏（PV）市场中处于主导地位，占据着超过90％的市场份额（ITRPV，2017）[2]。
并且，对于当前实际生产出的晶硅太阳能电池而言，单晶硅太阳能电池的效率已经达到了26.3％，多晶硅太阳能电池的效率也已经达到了22.3％[3]。
但是由于复合损耗、反射损耗、光学损耗等诸多因素的存在导致了发电量的损失，实际制造的晶硅太阳能电池的转换效率是远低于理论效率极限的。
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