文献综述
1. 引言自 1920 年法国人在罗谢尔盐中发现铁电效应[1]起，研究学者们陆续研发出来不同的铁电材料。
继而由于元器件的微型化、集成化、低功耗的需求，且相比块状材料，薄膜和厚薄膜由于体积小、缺陷和杂质较少，具有更高的耐击穿场强(Breakdown strength,BDS)和能量密度，能满足微电子器件的要求，因而促使铁电材料的研究从块体材料向薄膜发展[2]。
为了提高多铁性复合薄膜的磁电耦合性能，多铁性复合薄膜的铁电相需具有较大的压电系数，目前主要选用锆钛酸铅(PbZrTiO3)等铅基铁电材料[4]，但是这类材料易产生疲劳现象且含有重金属铅，在材料制备和使用过程中，极易造成环境污染。
因此，用环境友好、无铅且具有高铁电性的铁电材料替代含铅铁电材料，制备出无铅铁电薄膜材料已成为一个研究热点。
目前的无铅压电体系中，主要以钛酸钡(BT) 、钛酸铋钠(BNT) 、铁酸铋(BFO) 以及铌酸钾钠(KNN) 基为代表，相比之下，BNT 基压电材料兼有比较高的压电系数、机电耦合系数和高的退极化温度，吸引了广泛的研究兴趣[6]。
2. 钛酸铋钠基薄膜(BNT)及其掺杂改性钛酸铋钠( Bi0.5Na0.5TiO3，BNT) 基陶瓷是一类重要的钙钛矿( ABO3 ) 型无铅压电陶瓷。
Smolenskii 等人首次于 1960 年成功合成，BNT 是 Bi3 离子和 Na 离子在 A 位按 1:1复合取代而形成钙钛矿结构，BNT 因其优异的压电性能、较大的剩余极化强度、较高的居里温度及声学性能好而被认为是无铅材料的候选材料。
但是纯 BNT 陶瓷具有较高的矫顽场强和高漏电流，难以极化以得到实际应用[7]。
近些年来，为优化 BNT 薄膜的各方面性能，国内外对 Na0.5Bi0.5TiO3 薄膜的掺杂改性进行了深入研究，取得了较大的进展。
2003 年，王卓等人用旋涂法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备了 0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3 薄膜和 0.8NBT-0.2KBT 薄膜，剩余极化 Pr为 5 μC/cm2，矫顽电场 Ec 约 56 kV/cm，并获国家专利。
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