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文献综述
文 献 综 述半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，广泛应用于信息，社会安全，航空/航天，军事/国防，新能源和科学研究的各个领域，是国家竞争力的重要体现。
随着大数据，云计算，物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此 存储器有着巨大的市场。
如何不断提高存储的性能成为信息科学领域的一个关键性基础问题[1]。
半导体存储器中的非易失存储器主要是浮栅结构的闪存(Flash)存储器[2,3]。
但是，由于理论和技术的限制，其尺寸难以持续缩小，同时平面集成架构难以进一步提高存储密度来满足大数据时代对存储器的需求。
基于新材料、新结构、新原理和新集成架构的新型存储技术成为未来高密度存储发展的趋势，阻变随机存储器(RRAM)是近些年兴起的一种新型非易失性存储技术[4]。
阻变存储器(RRAM)是可以解决传统多晶硅浮栅技术瓶颈的代表性候选技术之一。
阻变存储器（RRAM）由于其结构简单、易于集成、操作速度快、功耗低等优点，从而引起了研究者们的广泛关注并吸引着人们对它进行更深层次的研究[5]。
近年来，研究者为了提高阻变存储器(RRAM)的性能，提出了很多的办法，例如1)在硅中掺入纳米晶有效的增加器件的电阻状态、调节晶界和氧空位的浓度来调节器件的阻变特性、采用石墨烯阻挡Ag向另一侧电极扩散，克服器件反向电压再打开；2)利用石墨烯控制缺陷来提高器件的保持特性；3) 通过在器件中采用磁控溅射梯度掺杂 Ag 纳米团簇使得器件由从仅仅的具有高低电阻之间的跳变转变为电阻连续可调的缓变；4) 在器件中插入 Cu 纳米团簇来改善器件的开关特性[6-11]。
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