文献综述
文 献 综 述概述1.1导向自组装简介 半导体器件通过光刻技术来制造的。
光刻就是在集成电路中利用光学-化学反应和化学-物理刻蚀方法，将电路图形反映到单晶表面或介质层上来形成图像的工艺技术。
当代半导体器件的发展速度取决于在电子材料基底上做出特定尺寸的高分辨率图形的能力。
高度有序纳米结构的制备是当前纳米技术应用领域的热点和难点。
传统的紫外光刻技术可以以一定的速度和效率生产出任意形状的特征尺寸为 40 nm 的图形，接下来的发展将伴随着成本的大幅增加和技术困难。
[1]面对微电子领域向更小、更快和更高密度进步，传统的自上而下的方法如光刻蚀等已很难满足需要，而自下而上的分子自组装技术等由于能够突破传统的限制，作为通过材料的自组装在固体表面成像的一种手段，可在分子尺寸上制备纳米器件，引起了人们的广泛关注。
[2, 3]导向自组装是一种将光学光刻与嵌段共聚物在薄膜中的自组装结合起来的技术，可以用来制备微电子工业中超高分辨率的图形。
导向自组装技术对图形模板有很高的要求，先通过光刻技术制得模板，嵌段共聚物薄膜在模板表面的几何控制或化学诱导下通过微相分离实现自组装，从而得到有序的微相结构，最后再通过选择性地去除其中一相得到纳米图形。
[4]与传统光学光刻技术相比，导向自组装的方法可以以更简单的过程、更低廉的成本得到特征尺寸更小的纳米图形。
虽然其在操作过程简单等方面有很大优势，但是在电子工业的实际应用中仍面临很多问题，其中一个问题是如何形成清晰有序的形态结构，其中可以通过改变聚合度（N）、体积分数（f）和FloryHuggins相互作用参数（χ）等因素来控制形态结构。
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