碳化硅颗粒被动氧化反应动力学实验探索文献综述

 2021-10-26 22:34:49

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1. 碳化硅简介 碳化硅由于其具有硬度高、强度高、耐磨性好等特点,常被当做磨料使用。

现已发展为现代国防工业,高新技术的重要原材料。

但是由于碳化硅晶体结构特殊具有高强的共价键,其具有高强度、耐磨的性质的同时,也有较大的脆性[1],导致其作为磨料寿命较短。

碳化硅单晶具有带隙宽、抗电压击穿能力强、热导率高、饱和电子迁移率高等优良性质[1],适合制备高功率、高频率、耐高温的电子原件。

目前,采用无压渗浸法制备的高体积分数碳化硅颗粒增强的铝基复合材料,已经用于遥感、高分、风云等系列的二十余颗卫星上的航空相机光结构[2]。

2. 碳化硅颗粒增强体铝基复合材料 2.1 碳化硅颗粒增强体铝基复合材料概述 大多数金属的延展性好,但强度低耐磨性不好。

若将碳化硅作为颗粒增强体和金属制成复合材料,利用金属良好的延展性和碳化硅的耐磨性,可以提高材料的耐磨性和延展性以及抗疲劳能力[2]。

这种材料综合了碳化硅颗粒和铝基的优点,具有材料的各向同性、良好的尺寸稳定性、良好的耐高温性能、良好的力学性能、良好的抗疲劳性和断裂韧性、良好的导热导电性能等优良性能[3, 4]。

2.2 碳化硅颗粒增强体铝基复合材料的制备 碳化硅颗粒增强体铝基复合材料的制备方法有粉末冶金法、搅拌铸造法、挤压铸造法、喷射沉积法、压力熔渗法、无压浸渗法等[2-7]。

二者表面结合方式主要有静电作用结合、机械结合、界面化学结合、化学结合,四种结合方式。

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