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文献综述
文 献 综 述1.引言SiC多孔陶瓷不仅气孔率高，热导率低，体积密度小，比表面积大，而且还具有强度高，耐腐蚀，耐高温，热膨胀系数低，抗热震性和生物相容性好等特点。
这些优异的性能使得SiC多孔陶瓷在环保、能源化工、冶金、过滤分离、尾气处理以及生物医学等领域有着广阔的应用前景[1]。
2. SiC多孔陶瓷的研究现状SiC共价键的特性使得其烧结温度一般在2000℃以上。
因此，如何在相对较低的温度下制备SiC多孔陶瓷材料是个难题。
当前，SiC多孔陶瓷的制备工艺通常有两种[2]:（1）引入烧结助剂，采用高温烧结的方法来合成。
常用的烧结助剂有MgO , A12O3 ,Y2O3 , B4C , AlN , BN及B等。
该方法虽然可以在一定程度上降低SiC多孔陶瓷的烧成温度，并制备出强度高的多孔材料。
但缺点在于烧结温度依然相对较高，且所制备多孔陶瓷的气孔率较低，其热导率也较高。
（2）在多孔陶瓷中原位生成第二种氧化物或非氧化物为结合相，通过结合相的作用在相对较低的温度下制备SiC多孔复相陶瓷材料。
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