文献综述
- 前言
19世纪以来，人类开始调控电子的电荷属性，发展了以半导体为基础的微电子学，奠定了第三次产业革命的基础。然而目前遇到器件功耗增大和制造成本增加的局限，现行模式的微电子工业的发展，也必将受到量子效应限制。摩尔定律由英特尔所创，虽然近年来有不少论点指出，摩尔定律已经很难延续下去。但实际上，英特尔正在积极研发的自旋电子技术，对整个半导体业界来说，摩尔定律不只能够延续下去，未来甚至可能需要更新摩尔定律的定义。寻找高居里温度的稀磁半导体材料，成为自旋电子器件的关键。
- 国内外研究情况
2019，Advanced Materials的一篇文章介绍了利用常压化学气相沉积(CVD)方法在云母衬底上控制合成晶粒尺寸达到亚毫米级的超薄CrSe晶体。重要的是，CVD生长的2D CrSe晶体在280 K以下温度下具有明显的铁磁性质，这是以前在实验上没有观察到的。这一工作突出了二维磁性材料在自旋电子学中的重要应用前景。
在光学显微镜（OM）和原子力显微镜（AFM）的观察下，合成的超薄非层状CrSe呈三角形，横向尺寸高达150mu;m，厚度为2.5nm。
- 总结
进一步利用电子的自旋属性开发新型的电子自旋器件具有广阔的前景，将成为下一轮信息产业革命的核心技术之一。
从自旋电子学的基本原理和迅速发展的态势来看，自旋电子技术和自旋量子信息技术很可能引起芯片技术革命性的变革，成为新一代微电子技术。
发达国家已经在新型电子自旋器件的研发上投入大量资金和资源，但是大多数自旋器件尚处于研发阶段，没有市场化，即使最具希望的磁随机存储器亦如此，还有大量的科学问题有待解决。
因此如果我们加大对新型自旋器件的研究力度，走自主创新的道路，采用新发现的物理效应，极有可能抓住电子自旋器件发展的后发优势，实现跨越式发展，研究成果将有助于我国在未来信息产业的新一轮竞争中获得自主知识产权。
五、参考文献
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