本征磁性拓扑绝缘体(Bi2Te3)n(MnBi2Te4)m的磁性调控文献综述

 2021-10-23 21:40:10

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文 献 综 述1.导言材料、能源与信息科学被并称为人类社会的三大资源,是现代科学技术的三大支柱,是新技术革命的先导。

现代高技术的发展,更是紧密依赖于材料学科的发展。

随着现有半导体电子器件尺寸的不断减小,能耗问题、量子隧穿与量子涨落效应等问题,从根本上阻碍了半导体电子器件的进一步微型化和集成化,成为现代信息和电子技术发展的瓶颈。

近年来新型量子材料(如拓扑材料、二维材料等)的出现则为人们提供了解决问题的思路。

新型量子材料一方面呈现出了丰富且新奇的物理性,另一方面通过外场可容易实现对这些材料的电子及其自旋自由度的量子调控。

[1] 目前,拓扑绝缘体与磁性的结合是研究热点,理论表明在磁性拓扑绝缘体中可以实现众多奇异的拓扑量子现象,如无需施加外磁场,就可实现具有一维无耗散边缘导电通道的量子反常霍尔效应。

[2]2.国际研究现状与趋势[3]拓扑物态的研究经历三个时期:19702000 年 的 萌 芽 和 发 育 期,20002006 年的新概念产生期。

2006 年起,该领域的发展进入了突破与大发展期,是新材料、新现象发现的爆发期。

2006 年斯坦福大学的张首晟团队提出了在HgTe/CdTe 量子阱体系中可以实现量子自旋霍尔效应。

一年后,德国维尔兹堡大学的 L.Molenkamp 小组通过输运实验证实。

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