毕业论文课题相关文献综述
21世纪以来，环境问题和能源问题成为世界性难题，开发清洁的可再生能源是人类的必经之路，电化学分解水制氢是将太阳能转换成化学能的重要方法之一。
光电化学池的构型主要可以分为三类：N型光电化学池、 P 型光电化学池以及P/N 型光电化学池，N 型光电化学池是本次研究的主要对象。
本文以SrTaO2N 为研究对象，以改善半导体电极光电化学性能为出发点，研究如何提高SrTaO2N 光阳极的光电化学活性。
在正式进行毕业设计之前，我们首先需要清楚如何提高半导体光电极性能，其次我们要了解现如今半导体光电极的研究状况以及不足，最后我想简单阐述一下本次课题研究的目的和创新。
一、提高半导体光电极性能的主要途径1.构建纳米结构半导体的结构对其光电化学性能有很大的影响。
当半导体材料的尺寸降低到（1-100 nm）范围内时，其光电化学性能会有很大改善：比表面积增大、光吸收增强、载流子寿命延长等。
比表面积的增大，不仅增加了半导体材料与电解液的接触面积，从而增加了光电化学反应的活性位点，加速光电化学反应，有利于减少载流子的复合[1,3,17]；而且，材料的表面/体积比增大，相当于增大了内建电场在半导体材料中的比重，而载流子在内建电场内的分离效率为100%[2,10]。
由此可见，新产生的性能有利于提升半导体电极体内的载流子分离效率。
2.掺杂向半导体材料中引入少量其他元素称为掺杂，引入的元素称为杂质。
根据杂质的种类，可分为阳离子掺杂和阴离子掺杂。
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