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文献综述
文 献 综 述摘要：近年来，二维晶体材料因其优越的电气特性，成为半导体材料研究的新方向。
原子薄的Bi2O2Se已成为二维材料中的一个新成员，具有超高的载流子迁移率和优异的空气稳定性。
本文介绍了二维半导体Bi2O2Se在生长、制备、性能领域的研究进展。
索引术语--光电晶体管，二维材料，半导体，Bi2O2Se1.纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)的介绍Bi2O2Se是一种具有四方晶体结构和空间群对称I4/mm(a=b=3.88A，c=12.16A)的层状材料)。
其晶体结构由强键合[Bi2O2]n2n和[Se]n2n层交替叠加组成，它们之间具有弱静电相互作用。
Bi2O2Se已经成为一种具有优异电子性能的很有前途的新半导体。
它的层状性质使它成为制造低到几个原子层（甚至是单层)的电子器件的理想选择，这在最近的一项研究中得到了证明。
基于Bi2O2Se的顶门控场效应晶体管器件具有优异的半导体器件性能，包括高载流子迁移率(1.9K时~28900cm2/V和室温下~450cm2/V)和具有几乎理想的次阈值摆动(~65mV/12月)的>106的优越电流开/关比。
此外，Bi2O2Se的中度带隙(~0.8eV)使其装置适合于室温操作，同时只需要相对较低的操作电压[例如，与具有1.17-eV带隙的Si相比]。
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