制备一维SnO2纳米材料文献综述

 2021-12-19 22:29:59

全文总字数:5603字

文献综述

文 献 综 述1.选题背景和意义挥发性有机化合物(volatile organic compounds,VOCs)是最常见和最危险的空气污染物,它导致光化学烟雾、癌症、畸形和突变,严重危害生态环境和人类健康。

根据调查显示,苯类和甲醛气体已经成为污染范围最广、毒性最强的室内环境污染物。

甲苯作为室内空气的主要污染物之一,严重威胁着人类的身体健康。

目前,由于甲苯气体具有在空气中含量低、毒性大、分子结构较稳定等特点,所以对其进行有效的检测还是存在一定的难度。

金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)基气体传感器,如SnO2、ZnO、TiO2、NiO和Co3O4,在检测有毒有害、易燃易爆气体中发挥着重要的作用。

氧化锡(SnO2)是宽禁带(Eg=3.6 eV)n型金属氧化物半导体材料,具有良好的化学稳定性与优越的导电性能,被公认为最具前景和商业性的气敏材料。

SnO2作为一种n型半导体材料,在气敏、电极材料等领域有着广泛的应用。

由于其丰富的表面酸性位、缺陷的表面氧和可还原的晶格氧,也是一种很有前途的催化材料。

然而,传统SnO2材料存在稳定性不好、选择性差等问题,并不能满足实际应用的要求.为了提高其气敏性能,可以通过合成具有特殊性质的多孔SnO2纳米材料和掺杂金属元素或金属氧化物等手段来实现,比如过渡金属Ag、Pd、Cu、Fe和Ni以及它们的氧化物。

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