全文总字数：2944字
文献综述
文献综述1.引言氮化硅陶瓷由于具有一系列优异的力学性能、热学性能和化学稳定性，在能源环保、机械化工、航天航空及切削加工等现代科技和工业领域受到了越来越多的关注[14]。
其抗弯强度和断裂韧性分别能达到1000MPa和7MPa m1/2以上，且自身硬度高，具有良好的耐磨损性能；氮化硅的导热性好，热导率高，且具有良好的抗热震性；同时化学稳定性高，抗腐蚀性能良好。
自Swann和Sterling 报导[1]氮化硅薄膜适于硅集成电路钝化以来, 氮化硅薄膜不仅在光电领域的应用日益广泛, 而且在材料表面改性领域也有着广阔的应用前景。
近年来，人们开创性地将贝塔氮化硅（β-Si3N4）以及其固溶体贝塔赛龙（β-SiAlON）等氮化物陶瓷中空纤维膜以及平板膜应用到膜蒸馏中[5,6]，并取得了很好的效果。
与氧化物陶瓷相比，它们的高强度的棒状晶体交织的三维网络结构，在形成均一的多孔结构的同时，具有比同孔隙率条件下的氧化物陶瓷大很多的强度。
2.Si3N4的制备目前主流的氮化硅制备方法包括：物理气相沉积、硅氮化、化学气相沉积等。
2.1物理气相沉积(PVD) 法物理气相沉积法主要包括离子束增强沉积(IBED)法和磁控反应溅射法。
离子束增强沉积（IBED）法是在同一真空系统中以电子束蒸发或离子束溅射薄膜材料(Si靶) 的同时, 用一定能量的离子束( N 和N2 )进行轰击, 在常温下合成薄膜的方法。
此法具有以下优点[7]:(1) 沉积过程在高真空中进行, 氧化程度低;(2) 在界面区存在混合层, 使得膜与基体的结合强度明显提高;(3) 薄膜组分分别来自不同的组分源, 可以对其化学组成进行单独调控, 易于沉积不同类型的薄膜;(4) 沉积温度低。
以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
