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文献综述
文 献 综 述1.课题背景单分子磁体是20世纪90年代磁学最重要的发现之一，它是一种真正意义上具有纳米尺寸的分子磁体[1]，即由分立的、磁学意义上几乎没有相互作用的单个分子构成。
单分子磁体具有磁性的双稳态，在阻塞温度以下表现出磁滞回线，在交流磁场中呈现慢弛豫的现象。
由于单分子磁体具有微小尺寸，在信息化越来越膨胀的现代社会，以分子基磁体为存储单元的超高密度存储材料有着广阔的应用前景。
单离子磁体[2]是指一类仅有一个磁性金属中心的化合物，它们不仅具有单分子磁体行为，而且因其结构[5]简单更易于磁构关系的研究。
由于镧系离子存在未猝灭的轨道角动量和大的基态自旋值，通过自旋-轨道耦合产生强的磁各向异性[16]，所以基于镧系离子为自旋载体构筑单分子磁体成为了研究热点。
2.主要单分子磁体的性能原理由存在着多种交互作用的磁性单分子的简单哈密顿表达式：s=DSz gβH ΣJi,jSiSj对于高自旋分子，在不着重考虑赛曼效应和分子内自旋磁耦合（分别对应于式中右侧第二、三项）的情况下，零场分裂DSz引起的能量变化便成了决定性影响因素。
零场分裂导致了高自旋基态的负磁各向异性，使最大自旋态S所对应的能量最低，Ms= S和Ms=-S间的跃迁即单分子磁体在磁化时分子内粒子磁矩反转所需克服的能垒较高（如图1)。
正是由于高能垒，低温下分子自旋和磁矩反转极为缓慢，出现磁弛豫现象。
该能垒低于按热激发路径计算所得到的理论能垒，于是在一定高温度下，分子内粒子具有足够的反转能量，磁矩会在正、负方向上快速振荡，分子表现出顺磁行为。
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