氮化硼杂化聚酰亚胺薄膜研究进展
摘要：首先概括总结聚酰亚胺（PI）薄膜在中国、美国、日本等地区的发展现状，明确聚酰亚胺薄膜的优势及缺陷。再针对聚酰亚胺薄膜导热性能较差这一缺陷，对比分析现阶段常用的各类导热填料。最后查阅整合国内外在氮化硼填充聚酰亚胺（PI/BN）薄膜导热性能研究上的现状，归纳总结BN杂化PI薄膜研究的关键技术问题、存在的技术难题，并提出相应的设想。从而可以为高导热PI薄膜的研究、开发提供专业的数据支撑及技术指导。
关键词：聚酰亚胺； 导热性能； 氮化硼； PI/BN薄膜
一、文献综述
聚酰亚胺（PI）是综合性能最佳的有机高分子材料之一,上世纪60年代，各国纷纷致力于聚酰亚胺的研究、开发及利用。而聚酰亚胺因其极其突出的特殊性能，在众多聚合物中脱颖而出，成为应用十分广泛的聚合物之一。常用的一些应用例如薄膜、光刻胶、先进复合材料等等。世界上对聚酰亚胺薄膜的研究也始于60年代，那个时候正值美苏两国大力发展航空航天事业，聚酰亚胺薄膜成为了航空器研发所需的完美材料。而在1966年，我国成功研制出了聚酰亚胺薄膜，紧随大国之后。经过了50多年的发展，PI薄膜已经广泛应用于电子电工、航天航空、国防军工、核电站、原子能工业等方面。
聚酰亚胺薄膜以“性能最好的绝缘薄膜材料”享誉于当今世界上。近年来，高性能PI薄膜在高阶FPC、LED、电子通讯及光电显示等产业的新应用使得新型PI材料的需求日益增多，聚酰亚胺薄膜成为了一个工业生产上极其重要的角色。
随着科技的日益发达，各类设备对于材料的要求越来越高，而这其中最重要的一点就是材料的导热性。倘若材料的导热性较差，这势必影响设备的正常运作、使用寿命，甚至引发一些安全事故。PI尽管是一种十分全面的理想型绝缘材料，但其导热性能较差的这一缺陷，严重地影响其应用。电子产品或电子器件在使用时会散热，如若所使用的材料无法散热，那么电子器件势必会寿命衰减，甚至直接损坏。正因为如此，改善PI薄膜的导热性能是当务之急。
（一）、国内外PI薄膜发展现状
要想改善PI薄膜的导热性能，首先必须全面地了解PI薄膜，找到一个可行的突破口。然后从突破口入手，最后找到最佳的解决方案。
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