薄层多孔碳氮材料光催化下构建吡唑环及其衍生物文献综述

 2021-11-05 19:05:42

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文 献 综 述1.1石墨碳氮化物的研究发展石墨化氮化碳(g-C3N4)是一种共轭聚合物半导体,由于其高度的化学稳定性、低成本和适宜的电子结构(2.7 eV)等优点,在过去的十年中越来越受到环境光催化的关注。

这种g-C3N4被认为是最古老的合成聚合物,最早由贝采利乌斯和李比希在1834年报道,并命名为melon[1]。

图1-1给出了一个流程图,概述了g-C3N4及其在光催化中的应用。

图1-11922年,富兰克林发现甜瓜的实际成分是C3N4。

接下来,Pauling和Sturdivant在1937年推导出了C3N4的三-s-三嗪型结构。

到1940年,据赎回安和卢卡斯报道,这种材料甜瓜具有石墨结构[2]。

在1972年Fujishima和Honda报道了TiO2的光解作用后,光催化受到了极大的关注[3]。

对各种材料(主要是无机半导体)进行了光催化应用评价。

然而,直到Wang等人在2009年首次报道了g-C3N4在光催化中的应用,才引起了人们的关注[4]。

石墨化氮化碳(g-C3N4)自2009年被发现作为一种n型无金属聚合物半导体用于光催化制氢以来逐渐成为热点。

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