《MHZ高频功率变换器的传导EMI建模与仿真》
文献综述
- 前言
近些年来高频变换器在高效小体积电源中应用越来越普遍。高频化导致功率变换器中功率管的基波频率达EMI频段、频谱宽度显著展宽、近场耦合增强、滤波器设计难度加大，因而高频变换器的EMI问题是这一应用趋势下的技术挑战之一。本课题要求针对1MHz开关频率的ACF有源钳位反激变换器完成其传导模式下的EMI仿真建模，分析其传导EMI的噪声产生、传递机理，并将仿真结果与实测结果进行比对矫正。最终实现在30MHz以下频段较为准确地反映变换器的传导EMI特性（仿真与实际相差不超过6dB）。
- 相关文献的研究现状
（一）对于磁性元件精确电路模型设计的讨论
D.Bucke在《Conducted Emission Simulation of an Industrial High Power Current Source》提出用集总元件等效电路来反映双绕组变压器结构的端口阻抗特性，且仅依靠阻抗测量就可以得到该等效电路中的所有参数的数值，该模型能够在40MHz频段内都有着很好的精度。文献依据变压器端口阻抗测试结果，利用阻抗拟合网络得到它的等效电路，该等效电路能够很精确反映变压器的端口阻抗。
李芬在《功率变换器变压器的EMI特性研宄》提出了变压器有效分布电容的模型，研究了变压器绕组的结构对有效分布电容的影响。并以反激式开关电源为研究对象，分析了高频变压器的有效分布电容对反激式开关电源共模传导EMI的影响，为抑制反激式开关电源的共模传导EMI提供了理论依据。
而在孟培培，张军明，陈恒林的《反激式变流器共模干扰的建模与预测》中，以反激式开关变压器电源为对象,建立了变压器的分布参数模型，用于分析电源的共模骚扰产生与耦合机理，与变压器集中参数模型相比，分布参数模型能够准确地描述变压器中的高频寄生参数，具有更好的高频特性。
（二）磁性元件的电路模型参数获取方法
Taekyun Kim在《Common Mode Noise Analysis for Cascaded Boost Converter With Silicon Carbide Devices》中提出根据代换定理，需要将不同的噪声源视为不耦合的，分别分析各噪声源对共模噪声的影响：
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