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Ⅲ-Ⅴ族半导体是目前制作光电器件和电子器件的理想材料。
在Ⅲ-Ⅴ族半导体中，锑化铟(InSb)具有最高的室温电子迁移率μe=77000 cm2/(Vs)，最大的电子g因子|g*|=51，和最小的电子有效质量m*e=0.015 me，非常适合制作红外光电器件、量子器件和超高频电子器件。
但是由于InSb晶体的晶格常数与常见的半导体材料（如硅、砷化镓等）的晶格常数相差较大，很难基于传统的微电子工艺加工制备出InSb器件。
实验表明半导体纳米线的直径很小，相比传统块体材料可以承受更大的界面应力，人们已经发现InSb纳米线是制作InSb器件的良好材料基础，合成高质量的InSb纳米线也成为当前半导体纳米材料研究的一个热点。
InSb 作为 III-V 族中带隙最小的半导体，在 300 K 条件下，光响应截止波长为7~8 μm，在 80 K 条件下，光响应截止波长为 5.5 μm，这个波长覆盖了大气透射窗口中的整个中红外波段，并且其在这个波段进行红外探测时具有很高的量子效率和探测率，因此，InSb 可以作为中红外焦阵列平面和红外探测的首选材料。
不仅如此，InSb 制备单晶的方法比较容易，并且质量较高，并且禁带宽度十分狭窄，因而十分受人们的关注。
InSb 作为 III-V 族半导体材料中禁带宽度最窄的二元材料，并且为直接带隙半导体，电子从价带跃迁到导带无需声子的辅助。
在自然条件下，InSb 属立方晶系，呈闪锌矿结构。
InSb 属共价化合物，原子之间靠共价键结合。
InSb 为直接带隙半导体，并且作为 III-V 族中带隙最小的半导体，在 300 K 条件下，禁带宽度为 0.18 eV，光响应截止波长为 7~8 μm，在 80 K 条件下，光响应截止波长为 5.5μm。
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