毕业论文课题相关文献综述
文 献 综 述低能耗电子元件一直是备受关注的话题，量子反常霍尔效应的发现大大推进了这一过程，MnBi2Te4是一类具备实现此效应基本条件的材料， 以下文献综述是本人阅读一系列相关论文的总结，其中包括霍尔效应到量子反常霍尔效应的发展历史及原理解释，以及MnBi2Te4的一些物理性质的介绍及其部分合成方法和表征方式的介绍。
一，霍尔效应及其量子化1880年，霍尔在探究磁性金属的霍尔效应时，发现即使不加外电场也能产生霍尔效应，这种在无磁场作用下的霍尔效应就称为反常霍尔效应。
[1]在当时连电子概念都未被提出的前提下，科学家们在很长的一段时间里并不能解释这一现象并进行关于反常霍尔效应的研究，直到上世纪50年代才开始对其形成原理进行系统性的探究。
在经历了50年左右的外秉特性和内秉特性的争论后（两者都无法与实验结果有较好的吻合），终于有了突破性的进展。
当时的研究通过定量计算表明在大多数材料中内秉反常霍尔效应发挥了主要作用；并阐明了内秉霍尔效应的拓扑物理本质。
[2]1980年，距离霍尔效应被发现1世纪科学家们发现了其量子化版本，即量子霍尔效应，当外部磁场足够强，温度足够低时，霍尔电导不再随磁场强度线性增加，而是出现一个电导平台，其值为电导量子单位的整数倍。
同时纵向电导会变为零，成为一种绝缘状态，这一状态通常被称为整数量子霍尔效应状态。
在强磁场和极低温度下，传导电子在样品体内回旋，形成局域化的分立朗道能级从而形成完全绝缘体。
然而在边界处电子不能完成整个回旋，只能被迫沿一个方向传导，从而形成一个没有背散射的传导通道，一种不受杂质散射影响的理想一维导体，这导致了量子霍尔效应的诞生。
[2]虽然根据量子霍尔效应能制作出边缘态稳定无消耗的理想一维超导样品，但是其超低温、强磁场的实现环境却使其应用范围受到了极大限制。
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