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Si纳米线的制备与光催化特性研究一、 Si纳米线的研究进展与现状 Si纳米线材料是近年来发展起来的一种新型的非常重要的纳米半导体材料，与其块体材料相比，显现出奇异的物理和化学特性，其应用也越来越广泛，成为了目前纳米技术领域科学研究的热点和前沿之一。
由于具有独特的一维结构、热电导率、电化学性能、光电性质等特点，被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池、光催化等领域。
以Ti02为代表的传统光催化剂,由于其带隙宽而只能利用太阳光中的紫外光,大大限制了其应用范围。
因此，可见光响应的半导体光催化剂引起了人们极大的研究兴趣。
其中，具有贵金属-半导体异质结结构的光催化剂由于结合了贵金属在可见光区的表面等离子体共振效应、金属-半导体异质结结构以及半导体的光催化特性等优点，表现出优异的光催化性能。
目前也有初步的探索发现硅纳米线自身或结合适当的表面化学处理，即可拥有良好的催化性能，因此，Si纳米线的催化性能是十分值得探索的。
近年来，为制备有序的硅纳米线阵列，研究者先后开发出多种制备方法。
有模板辅助的化学气相沉积法、化学气相沉积结合 Langmuir-Blodgett 技术法和金属催化化学刻蚀法，目前使用最为广泛且操作简单的是金属催化化学刻蚀法。
金属催化化学刻蚀法制备Si纳米线的化学反应机理如下： 第一步: 沉积 Ag 的机理。
硅片表面经 HF 处理后形成大量的SiH键，SiH具有较强的还原性，Ag 具有较强的氧化性，两者发生氧化还原反应，Ag 获得电子被还原成 Ag 原子并以纳米颗粒的形式沉积在 Si 片表面形成不连续的 Ag 颗粒薄膜。
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