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文献综述
文 献 综 述化学气相沉积(CVD)主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
如氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。
化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。
化学气相沉积法是蒸发源发生物理、化学反应的气相沉积方法，该方法设备简单、操作方便、试验周期相对较短。
该方法一大特点是高温区间比较短，能够制造急速降温的氛围，使该方法对一些微量的掺杂具有得天独厚的优势[1]。
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：（1）形成挥发性物质 ；（2）把上述物质转移至沉积区域 ；（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质。
最基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。
CVD的过程可以在各种过程中涵盖，如常压CVD，低压CVD(压力小于环境时)、激光CVD、等离子体增强CVD(等离子体增强分解时)、光化学气相沉积、化学气相渗透、化学束外延等[2]。
化学气相沉积法也是制备大侧面积、均匀厚度的2DMs最常用的技术之一，用于大规模制造电子和光电子器件。
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